http://mounriver.com/
编译成功。
烧录成功。
下载地址：https://www.wch.cn/downloads/CH32FV2x_V3xRM_PDF.html CH32FV2x_V3xRM应用手册，32位RISC-V架构通用微控制器，具有高效中断响应、标准内存保护、硬件除法、浮点运算等特点。 包含USB2.0主机/设备控制器、蓝牙5.3、以太网、多CAN、12位DAC/ADC、8组串口、电机定时器、运放、双DMA控制器等丰富的外设资源。 覆盖：CH32V203F6P6,CH32V203F8P6,CH32V203G6U6,CH32V203G8R6,CH32V203C6T6,CH32V203K8T6,CH32V203C8T6,CH32V203C8U6,CH32V203RBT6 我这边主要是用CH32V203G6u6、CH32V203C8T6
直接用官方的评估板也可以测试这个代码，主要配置好MCU即可，例如CH32V203G6U6，需要配置Link.ld：
MEMORY
{
/* CH32V20x_D6 - CH32V203F6-CH32V203G6-CH32V203K6-CH32V203C6 */
/**/
FLASH (rx) : ORIGIN = 0x00000000, LENGTH = 32K
RAM (xrw) : ORIGIN = 0x20000000, LENGTH = 10K
/* CH32V20x_D6 - CH32V203K8-CH32V203C8-CH32V203G8-CH32V203F8 / / FLASH (rx) : ORIGIN = 0x00000000, LENGTH = 64K RAM (xrw) : ORIGIN = 0x20000000, LENGTH = 20K */
使用startup_ch32v20x_D6.S。
CH32V203内部FLASH官方示例详细注释版本，包含2种编程/擦除方式，具体如下：
此方式是默认编程方式（兼容方式）。这种模式下CPU以单次2字节方式执行编程，单次4K字节执行擦除及整片擦除操作。 Flash Program Test.内部FLASH标准编程
-
1. 调用FLASH_Unlock函数进行解锁； -
2. 根据起始地址及结束地址计算需要擦除页数； -
3. 调用FLASH_ClearFlag函数清除各种标志位； -
4. 使用for循环以及调用FLASH_ErasePage函数擦除页数，每次擦除一页； -
5. 使用while循环并调用FLASH_ProgramWord函数向起始地址至结束地址的存储区域都写入变量“Data”存储的数值数值； -
6. 调用FLASH_Lock函数进行上锁； -
7. 使用指针读取写入的数据内容并校验。
此方式采用页操作方式（推荐）。经过特定序列解锁后，执行单次256字节的编程及256字节擦除。 Flash Fast Program Test.内部FLASH快速编程
-
1. 调用FLASH_Unlock_Fast函数进行解锁； -
2. 调用FLASH_ErasePage_Fast函数擦除指定闪存页； -
3. 调用FLASH_BufReset函数复位闪存缓冲区，执行清除内部256字节缓存区操作； -
4. 调用FLASH_BufLoad函数向指定地址开始连续写入16字节数据（4字节/次操作，写的地址每次偏移量为4），然后执行加载到缓冲区； -
5. 调用FLASH_ProgramPage_Fast函数启动一次快速页编程动作，编程指定的闪存页； -
6. 调用FLASH_Lock_Fast函数进行上锁； -
7. 使用for循环读取编程地址进行数据校验并返回校验值。
WCH-LinkE 主要接3V3、GND、SWCLK和SWDIO。
USB转TTL串口主要接TX和GND（RX没用到，VCC不要接）
USB转TTL串口需要找对COM号，我的电脑是COM10。COM4是WCH-LinkE使用。
波特率选115200.数据位选8。
串口建立连接以后，去烧录固件程序，等复位以后，就能看到串口日志出来。
如果中文显示乱码的话，串口调试软件改一下字符集编码为UTF8.
CH32V103和CH32V203的Flash有区别的，一定要阅读CH32FV2x_V3xRM应用手册（CH32FV2x_V3xRM.PDF），如上图，CH32V20x每页是256字节。CSDN上有些文章说每页1K字节不要轻易认为是对的，一定要看MCU的应用手册！！！
内部FLASH具有2种编程/擦除方式，具体如下： 标准编程：此方式是默认编程方式（兼容方式）。这种模式下CPU以单次2字节方式执行编程，单次1K字节执行擦除及整片擦除操作。 快速编程：此方式采用页操作方式（推荐）。经过特定序列解锁后，执行单次128字节的编程及128字节擦除。 关于CH32V103内部FLASH具体信息，可参考CH32V103应用手册。
注意下面加粗的文字，跟CH32V103的区别。 标准编程：此方式是默认编程方式（兼容方式）。这种模式下CPU 以单次2 字节方式执行编程，单次4K 字节执行擦除及整片擦除操作。 快速编程：此方式采用页操作方式（推荐）。经过特定序列解锁后，执行单次256 字节的编程及256 字节擦除、32K 字节擦除、整片擦除。 注：快速编程相关函数，仅可放在零等待区FLASH 中。
考虑兼容的话，个人认为用标准编程比较方便些。